当前位置： 新闻资讯 知识产权 侵权官司和解,东芝将支付旺宏4000万美元
旺宏10月5日一早在重大讯息观测站上公告，与东芝在4日签署和解备忘录，东芝将支付旺宏4000万美元，并交互授权各自约30项专利，预定10月9日前完成细部合约，包括撤诉及付款时程等条款签署。旺宏今日在台湾股市受此消息影响，股价逆势抗跌。
同时，被牵扯入该宗诉讼的群联也表示，尊重东芝决定，因该和解协议由东芝与旺宏签署，群联方面并未参与，无须支付该和解金，但乐见争议获得解决，至于旺宏是否撤销与群联诉讼，则待后续发展。
2017年3月旺宏及其美国子公司Macronix America，向美国国际贸易委员会(ITC)控告东芝及其子公司等5家侵害其闪存(NAND Flash)与编码型闪存(NOR Flash)相关专利，并于美国加州南区联邦地方法院，对东芝提起相同侵权指控。
随后10月东芝发起反击，在台湾法院反控旺宏侵权，并于11月向日本专利特许厅提出侵害专利的认定请求。今年专利官司战火延烧到供应链厂商，旺宏进一步控告与东芝关系紧密的群联电子，群联董事长潘健成还动怒形容此事“莫名其妙”，并表示，群联与旺宏向来“井水不犯河水”，公司近18年累积的专利“不是吃素的”，一定会反告。
不过，旺宏在美控告东芝案，4月间ITC初判驳回旺宏指控。也因此，东芝与旺宏10月4日签署和解备忘录，让这宗专利战包含旺宏控告群联等侵权官司朝向和平收场方向发展。不过最终结果仍待旺宏与东芝两方于9日完成细部合约签署后，再进一步观察。
回顾双方诉讼，据了解，涉及的争讼专利技术主要包括适用于CMP工艺的半导体芯片衬底电路布局、防止虚设单元(dummy cell)受到过度抹除的半导体存储元件及其操作方法，以及可依据用途、电源电压和电负载等特性，来设置适当驱动强度输出缓冲电路。其中，前两项技术都有对应台湾地区及中国大陆专利，并有授权多家半导体厂商使用纪录。未来东芝、旺宏也将交互授权各自约30项专利。
旺宏电子股份有限公司简介：于1989 年创立于台湾新竹科学园区，旺宏电子为全球非挥发性记忆体整合元件领导厂商，提供跨越广泛规格及容量的ROM唯读记忆体、NOR型快闪记忆体以及NAND型快闪记忆体解决方案。目前拥有超过七千四百项国际关键技术及专利等智慧财产权。
台湾东芝电子零组件股份有限公司简介：东芝总部位于日本东京都港区，于1979年6月29日前身芝荣(Tsu Rong Corporation)股份有限公司核淮在台湾设立，资本额200万，进口销售半导体。半导体包括分离元件 Discrete、大型积体电路 LSI、快闪记忆体 Flash Memory、固态硬碟 SSD、影像感测器 CMSO Sensor等。1989年8月15日 中文名称改为台湾东芝电子股份有限公司，2015年4月1日中文名又改为台湾台湾东芝电子零组件股份有限公司。
来源：IPRlearn
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